Samsung: masowa produkcja DRAM HBM2 4 GB
Kości pamięci High Bandwidth Memory 2 znajdą zastosowanie na przykład w komputerach HPC, rozwiązaniach sieciowych o wysokiej przepustowości czy kartach graficznych.
Układy powstają w procesie 20 nm, z wykorzystaniem technologii Through Silicon Via. Składają się na nie cztery 8-gigabitowe ułożone pionowo warstwy, z których pojedynczy moduł udostępnia ponad 500 połączeń TSV.
Samsung planuje także jeszcze w tym roku rozpocząć produkcję kości 8 GB HBM2. Mają być nimi zainteresowani producenci kart graficznych – szukający optymalnych rozwiązań dla kompaktowych wydajnych komputerów, oferujących wysoką jakość przetwarzania obrazu.
Koreański producent ma stopniowo zwiększać produkcję pamięci HMB2, by sprostać oczekiwaniom rynku, przede wszystkim w segmencie systemów sieciowych i serwerów.
Podobne aktualności
Spadek na rynku półprzewodników. Zmiany w czołówce
Rynek pamięci był w dołku w 2023 r., jednak boom na AI sprzyjał niektórym dostawcom.
Samsung 10-krotnie zwiększył zysk
Poprawa koniunktury na rynku DRAM i NAND podbiła zyski koncernu.